Monte Carlo Device Simulation / Najlacnejšie knihy
Monte Carlo Device Simulation

Kod: 01398082

Monte Carlo Device Simulation

Autor Karl Hess

Monte Carlo simulation is now a well established method for studying semiconductor devices and is particularly well suited to highlighting physical mechanisms and exploring material properties. Not surprisingly, the more completel ... więcej

187.81


Dostępna u dostawcy w małych ilościach
Wysyłamy za 10 - 15 dni

Potrzebujesz więcej egzemplarzy?Jeżeli jesteś zainteresowany zakupem większej ilości egzemplarzy, skontaktuj się z nami, aby sprawdzić ich dostępność.


Dodaj do schowka

Zobacz książki o podobnej tematyce

Podaruj tę książkę jeszcze dziś
  1. Zamów książkę i wybierz "Wyślij jako prezent".
  2. Natychmiast wyślemy Ci bon podarunkowy, który możesz przekazać adresatowi prezentu.
  3. Książka zostanie wysłana do adresata, a Ty o nic nie musisz się martwić.

Dowiedz się więcej

Więcej informacji o Monte Carlo Device Simulation

Za ten zakup dostaniesz 467 punkty

Opis

Monte Carlo simulation is now a well established method for studying semiconductor devices and is particularly well suited to highlighting physical mechanisms and exploring material properties. Not surprisingly, the more completely the material properties are built into the simulation, up to and including the use of a full band structure, the more powerful is the method. Indeed, it is now becoming increasingly clear that phenomena such as reliabil ity related hot-electron effects in MOSFETs cannot be understood satisfac torily without using full band Monte Carlo. The IBM simulator DAMOCLES, therefore, represents a landmark of great significance. DAMOCLES sums up the total of Monte Carlo device modeling experience of the past, and reaches with its capabilities and opportunities into the distant future. This book, therefore, begins with a description of the IBM simulator. The second chapter gives an advanced introduction to the physical basis for Monte Carlo simulations and an outlook on why complex effects such as collisional broadening and intracollisional field effects can be important and how they can be included in the simulations. References to more basic intro the book. The third chapter ductory material can be found throughout describes a typical relationship of Monte Carlo simulations to experimental data and indicates a major difficulty, the vast number of deformation poten tials required to simulate transport throughout the entire Brillouin zone. The fourth chapter addresses possible further extensions of the Monte Carlo approach and subtleties of the electron-electron interaction.

Szczegóły książki

Kategoria Książki po angielsku Technology, engineering, agriculture Electronics & communications engineering Electronics engineering

187.81

Ulubione w innej kategorii



Osobní odběr Bratislava a 2642 dalších

Copyright ©2008-24 najlacnejsie-knihy.sk Wszelkie prawa zastrzeżonePrywatnieCookies


Konto: Logowanie
Všetky knihy sveta na jednom mieste. Navyše za skvelé ceny.

Nákupní košík ( prázdný )

Nakupte za 59,99 € a
máte doručení zdarma.

Twoja lokalizacja: