Herstellung und Charakterisierung von Photodioden auf der Basis von BeMgZnSe / Najlacnejšie knihy
Herstellung und Charakterisierung von Photodioden auf der Basis von BeMgZnSe

Code: 01883788

Herstellung und Charakterisierung von Photodioden auf der Basis von BeMgZnSe

by Johannes M. Sieß

Diplomarbeit aus dem Jahr 1999 im Fachbereich Physik - Angewandte Physik, Note: 2, Bayerische Julius-Maximilians-Universität Würzburg, Sprache: Deutsch, Abstract: Es ist wichtig, die UV-Bestrahlung des menschlichen Körpers zu kont ... more

61.79

RRP: 63.06 €

You save 1.27 €


In stock at our supplier
Shipping in 15 - 20 days
Add to wishlist

You might also like

Give this book as a present today
  1. Order book and choose Gift Order.
  2. We will send you book gift voucher at once. You can give it out to anyone.
  3. Book will be send to donee, nothing more to care about.

Book gift voucher sampleRead more

More about Herstellung und Charakterisierung von Photodioden auf der Basis von BeMgZnSe

You get 154 loyalty points

Book synopsis

Diplomarbeit aus dem Jahr 1999 im Fachbereich Physik - Angewandte Physik, Note: 2, Bayerische Julius-Maximilians-Universität Würzburg, Sprache: Deutsch, Abstract: Es ist wichtig, die UV-Bestrahlung des menschlichen Körpers zu kontrollieren und nötigenfalls zu beschränken. Kleine handliche Detektoren, die nur in diesem Spektralbereich empfindlich sind, würden dem Einzelnen eine Möglichkeit geben, jederzeit über diemomentane UV-Strahlenbelastung informiert zu sein. Weitere Anwendungen für UV-Detektoren sind denkbar zur Umweltanalyse oder auch in unwirtlichen Umgebungen, wie zur Überwachung von Verbrennungsprozessen, bei denen immer UV-Emission auftritt, die aus der Emission von Verbrennungsprodukten (z.B. Stickstoff) stammt. Diese sind abhängig von der Temperatur. Durch die selektiveÜberwachung der UV-Emission ließe sich eine Verbrennung schadstoffarm regeln.UV-Halbleiterdetektoren bieten die Möglichkeit, die Größe optischer Bauteile zu verringern.Bisher wurden zur Detektion von UV-Strahlung Siliziumdetektoren mit vorgeschalteten Filtern verwendet, ein hoher Dunkelstrom und die Schwächung der Strahlung durch die Filter machen diese Detektoren aber sehr uneffektiv und oft ist eine Kühlung des Halbleitersnotwendig. Andere Detektoren sind Photomultiplier, aber auch diese benötigen Filter und immer Kühlung. Als vielversprechendes Material wird auch Galliumnitrid genannt, dessen Cut-off jedoch bei 365 nm liegt, wodurch man einen Teil des UV-A-Spektrums nichtdetektieren kann. Mittels Molekularstrahlepitaxie ist es in Würzburg gelungen, lichtemittierende Halbleiterbauelemente aus Beryllium-Chalkogeniden herzustellen [23] mit Bandlücken, die an der Grenze zwischen sichtbarem und ultraviolettem Licht liegen. In dieser Arbeit wird daher versucht, aus diesem Material p-i-n Photodetektoren herzustellen. Dazu wird im 1. und2. Kapitel die dazu nötige Theorie beschrieben sowie die praktischen Grundlagen vermittelt. Im 3. Kapitel werden dann alle Ergebnisse dieser Arbeit zusammengefaßt und erörtert.

Book details

61.79

Trending among others



Collection points Bratislava a 2642 dalších

Copyright ©2008-24 najlacnejsie-knihy.sk All rights reservedPrivacyCookies


Account: Log in
Všetky knihy sveta na jednom mieste. Navyše za skvelé ceny.

Shopping cart ( Empty )

For free shipping
shop for 59,99 € and more

You are here: