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Opis

Ce travail porte sur l'élaboration et la caractérisation des films de nitrure de titane déposés sur silicium par CVD ŕ partir des précurseurs : tétrachlorure de titane (TiCl4), ammoniac (NH3) et hydrogčne (H2). Les films sont réalisés dans un réacteur basse pression ŕ chauffage rapide (RTLPCVD). Deux procédés de dépôt ont été proposés : un monocycle et un multicycle, ainsi que deux groupes de paramčtres : le groupe 1 avec une haute température de dépôt (800°C) et une phase gazeuse riche en ammoniac et le groupe 2 avec une faible température de dépôt (500°C) et une phase gazeuse pauvre en ammoniac. L'étude des coefficients de sursaturation et des énergies libres de surface a permis de calculer les rayons des germes critiques. Des hypothčses sur les modes de croissance ont été émises : la germination des couches élaborées avec les paramčtres du groupe 1 se ferait selon le mode de germination 2D-3D alors que la germination des groupes élaborées avec les paramčtres du groupe 2 se ferait selon le mode de croissance 3D. Les dépôts ont été caractérisés par diffraction X, RBS, XPS, mesure de résistivité, spectrocolorimétrie, rugosité de surface et comportement tribologique.

Szczegóły książki

Kategoria Knihy po francúzsky LITTÉRATURE GÉNÉRALE Essais littéraires

• Pełny tytuł: Elaboration de Couches de Tin Par D p t Chimique En Phase Gazeuse
• Autor: De Baynast-H
• Język: Francuski
• Oprawa: Miękka
• Liczba stron: 232
• EAN: 9783838181011
• ISBN: 3838181018
• ID: 06885317
• Wydawca: Omniscriptum
• Waga: 345 g
• Wymiary: 229 × 152 × 13 mm
• Data wydania: 28. February 2018

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