Zobacz książki o podobnej tematyce

Więcej informacji o Reliability of High Mobility SiGe Channel MOSFETs for Future CMOS Applications

• Dane szczegółowe
• Opis
• Ulubione w innej kategorii

Za ten zakup dostaniesz 273 punkty

Opis

This book explores the reliability of novel (Si)Ge channel quantum well pMOSFET technology. It proposes a physical model to understand the intrinsically superior reliability of the MOS system consisting of a Ge-based channel and a SiO2/HfO2 dielectric stack.

Szczegóły książki

Kategoria Knihy po anglicky Technology, engineering, agriculture Electronics & communications engineering Electronics engineering

• Pełny tytuł: Reliability of High Mobility SiGe Channel MOSFETs for Future CMOS Applications
• Autor: Jacopo Franco, Ben Kaczer, Guido Groeseneken
• Język: Angielski
• Oprawa: Miękka
• Liczba stron: 187
• EAN: 9789402402056
• ISBN: 9402402055
• ID: 13803406
• Wydawca: Springer
• Waga: 3226 g
• Wymiary: 235 × 155 × 11 mm
• Data wydania: 23. August 2016

---

---

---