Zobacz książki o podobnej tematyce

Więcej informacji o Transport in Metal-Oxide-Semiconductor Structures

• Dane szczegółowe
• Opis
• Ulubione w innej kategorii

Za ten zakup dostaniesz 345 punkty

Opis

Reviewing the state-of-the-art in the field, this volume describes the importance of mobile ions presented in oxide structures. The text defines the MOS structure, and provides an overview of onic transport mechanisms and techniques for measuring the mobile ions concentration in the oxides.

Szczegóły książki

Kategoria Knihy po anglicky Technology, engineering, agriculture Electronics & communications engineering Electronics engineering

• Pełny tytuł: Transport in Metal-Oxide-Semiconductor Structures
• Podtytuł: Mobile Ions Effects on the Oxide Properties
• Autor: Hamid Bentarzi
• Język: Angielski
• Oprawa: Miękka
• Liczba stron: 106
• EAN: 9783642266881
• ISBN: 3642266886
• ID: 01660093
• Wydawca: Springer-Verlag Berlin and Heidelberg GmbH & Co. KG
• Waga: 195 g
• Wymiary: 235 × 155 × 11 mm
• Data wydania: 24. February 2013

Ulubione w innej kategorii

---

---

---