Kód: 19845413
Neste trabalho é apresentado o estudo e a caracterizaç?o da eletrodeposiç?o do material semicondutor CdTe sobre o substrato platina a temperatura ambiente (24°C) a partir de eletrólito ácido-sulfato. Para esse efeito, foram utiliz ... celý popis
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Neste trabalho é apresentado o estudo e a caracterizaç?o da eletrodeposiç?o do material semicondutor CdTe sobre o substrato platina a temperatura ambiente (24°C) a partir de eletrólito ácido-sulfato. Para esse efeito, foram utilizadas as técnicas eletroquímicas associadas ? técnica de difratometria de raios-X, Microscopia eletrônica de varredura (MEV) e Medidas de capacitância. Foram verificados que os valores de potencial iguais a -114, -151, -205, -271 e -352 mV, onde ocorrem etapas distintas do processo global da deposiç?o do CdTe. O surgimento do pico catódico e a posterior formaç?o de um patamar de corrente, sugerem que está ocorrendo o controle misto no processo de deposiç?o do filme de CdTe, sejam estes, controle por ativaç?o e controle por transporte de massa na soluç?o. Por outro lado, o aparecimento do pico anódico em valores de potencial positivo indica a dissoluç?o completa do material. A partir dos valores indicados de potencial, foi conduzida a técnica potenciostática. Foi notado que o aumento da carga depositada de CdTe é diretamente proporcional ao aumento do potencial catódico de deposiç?o.
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