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Die vorliegende Arbeit befasst sich mit der technologischen Entwicklung eines CMOS (Complementary-Metal-Oxide-Semiconductor) Prozesses zur Herstellung von integrierten Schaltungen. Dabei werden Siliziumoxid und Aluminiumoxid als Gatedielektrika verwendet und untersucht. Dadurch ergibt sich ein Vergleich zwischen einem selbstjustierenden Gate-Prozess, mit Polysilizium als Gateelektrode und Siliziumoxid als Dielektrikum, und dem Metal-Gate Prozess mit einem Gatestack basierend auf Aluminiumoxid mit metallischer Gateelektrode. Neben den theoretischen Grundlagen zur Thematik der Feldeffekttransistoren wird auf das statische Verhalten des CMOS-Inverters eingegangen. Dieser wird im Rahmen der Arbeit als integrierte Schaltung hergestellt. Der Schwerpunkt dieser Arbeit liegt auf der elektrischen Charakterisierung und dem Vergleich mit analytischen Berechnungen.

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Zaradenie knihy Knihy po nemecky Naturwissenschaften, Medizin, Informatik, Technik Technik Bau- und Umwelttechnik

• Celý názov: Herstellung und Charakterisierung von high-k Metal-Gate CMOS Transistoren
• Autor: Josef Biba
• Jazyk: Nemčina
• Väzba: Brožovaná
• Počet strán: 216
• EAN: 9783954043514
• ISBN: 3954043513
• ID: 12828391
• Nakladateľ: Cuvillier Verlag
• Hmotnosť: 286 g
• Rozmery: 210 × 148 × 11 mm
• Dátum vydania: 11. February 2013

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