Mohlo by sa vám tiež páčiť

Viac informácií o knihe Physical MOSFET Model Applicable to Extremely Scaled CMOS IC Design

• Parametre knihy
• Anotácia kniha
• Obľúbené z iného súdka

Nákupom získate 273 bodov

Anotácia knihy

Abstract: A process-based model (UFET) for deep-submicron bulk-silicon MOSFETs is developed and verified with numerical device simulations and measured data. The charge-based model is physical with accountings for the predominant short-channel (e.g., c

Parametre knihy

Zaradenie knihy Knihy po anglicky Technology, engineering, agriculture Energy technology & engineering Electrical engineering

• Celý názov: Physical MOSFET Model Applicable to Extremely Scaled CMOS IC Design
• Autor: DOUGLAS WEISER
• Jazyk: Angličtina
• Väzba: Pevná
• Počet strán: 210
• EAN: 9780530007977
• ISBN: 0530007975
• ID: 22569070
• Nakladateľ: Dissertation Discovery Company
• Hmotnosť: 776 g
• Rozmery: 279 × 216 × 13 mm
• Dátum vydania: 31. May 2019

Obľúbené z iného súdka

---

---

---