Analysis, design and experimental evaluation of sub-THz power amplifiers based on GaAs metamorphic HEMT technology. / Najlacnejšie knihy
Analysis, design and experimental evaluation of sub-THz power amplifiers based on GaAs metamorphic HEMT technology.

Kód: 21074634

Analysis, design and experimental evaluation of sub-THz power amplifiers based on GaAs metamorphic HEMT technology.

Autor Ana Belén Amado Rey, Oliver Ambacher, Freiburg Fraunhofer IAF

In this research work the theoretical analysis and experimental fabrication of solid state power amplifier (SSPAs) operating at frequencies above 200 GHz, which are based on series transistor configurations (stacked-FETs), are dem ... celý popis

77.98

Bežne: 82.10 €

Ušetríte 4.11 €

Dostupnosť:

50 % šancaMáme informáciu, že by titul mohol byť dostupný. Na základe vašej objednávky sa ho pokúsime do 6 týždňov zabezpečiť.
Prehľadáme celý svet

Informovať o naskladnení

Pridať medzi želanie

Mohlo by sa vám tiež páčiť

Darčekový poukaz: Radosť zaručená
  1. Darujte poukaz v ľubovoľnej hodnote, a my sa postaráme o zvyšok.
  2. Poukaz sa vzťahuje na všetky produkty v našej ponuke.
  3. Elektronický poukaz si vytlačíte z e-mailu a môžete ho ihneď darovať.
  4. Platnosť poukazu je 12 mesiacov od dátumu vystavenia.

Objednať darčekový poukazViac informácií

Informovať o naskladnení knihy

Informovať o naskladnení knihy


Súhlas - Odoslaním žiadosti vyjadrujem Súhlas so spracovaním osobných údajov na marketingové účely.

Zašleme vám správu akonáhle knihu naskladníme

Zadajte do formulára e-mailovú adresu a akonáhle knihu naskladníme, zašleme vám o tom správu. Postrážime všetko za vás.

Viac informácií o knihe Analysis, design and experimental evaluation of sub-THz power amplifiers based on GaAs metamorphic HEMT technology.

Nákupom získate 196 bodov

Anotácia knihy

In this research work the theoretical analysis and experimental fabrication of solid state power amplifier (SSPAs) operating at frequencies above 200 GHz, which are based on series transistor configurations (stacked-FETs), are demonstrated for the first time. These SSPAs include 35 nm and 50 nm GaAs metamorphic high-mobility electron transistors (mHEMTs) and novel low-loss couplers and combiners to connect single cells in parallel.

Parametre knihy

Zaradenie knihy Knihy po anglicky Technology, engineering, agriculture Electronics & communications engineering

77.98

Obľúbené z iného súdka



Osobný odber Bratislava a 2642 dalších

Copyright ©2008-24 najlacnejsie-knihy.sk Všetky práva vyhradenéSúkromieCookies


Môj účet: Prihlásiť sa
Všetky knihy sveta na jednom mieste. Navyše za skvelé ceny.

Nákupný košík ( prázdny )

Vyzdvihnutie v Zásielkovni
zadarmo nad 59,99 €.

Nachádzate sa: