Mohlo by sa vám tiež páčiť

Viac informácií o knihe Device Physics for Engineering Design of Heavily Doped Regions in Pn-junction Silicon Solar Cells

• Parametre knihy
• Anotácia kniha
• Obľúbené z iného súdka

Nákupom získate 206 bodov

Anotácia knihy

Abstract: This dissertation presents a quantitative study of the physical mechanisms underlying the anomolously large recombination current experimentally observed in heavily doped regions of silicon pn-junction solar cells and bipolar transistors. The

Parametre knihy

Zaradenie knihy Knihy po anglicky Technology, engineering, agriculture Energy technology & engineering Electrical engineering

• Celý názov: Device Physics for Engineering Design of Heavily Doped Regions in Pn-junction Silicon Solar Cells
• Autor: MUHAMMED SHIBIB
• Jazyk: Angličtina
• Väzba: Pevná
• Počet strán: 206
• EAN: 9780530008134
• ISBN: 0530008130
• ID: 22569086
• Nakladateľ: Dissertation Discovery Company
• Hmotnosť: 767 g
• Rozmery: 279 × 216 × 13 mm
• Dátum vydania: 31. May 2019

Obľúbené z iného súdka

---

---

---