Mohlo by sa vám tiež páčiť

Viac informácií o knihe Kinetika jelektronnyh processov v Si i Ge v polyah vneshnih vozdejstvij

• Parametre knihy
• Anotácia kniha
• Obľúbené z iného súdka

Nákupom získate 158 bodov

Anotácia knihy

V monografii predstavleny rezul'taty issledovaniya osobennostej izmenenij kineticheskih kojefficientov pod vozdejstviem oblucheniya, napravlennoj uprugoj deformacii i raznyh rezhimov termoobrabotki monokristallov kremniya i germaniya; proveden analiz vliyaniya primesej tehnologicheskogo proishozhdeniya na obrazovanie jelektricheski-aktivnyh komplexov; izucheny puti obespecheniya stabil'nosti parametrov poluprovodnikovyh sistem po otnosheniju k jeffektivnym vneshnim vozdejstviyam; vyyasnena rol' kak plavnyh (soizmerimyh s razmerami issleduemyh kristallov), tak i vysokogradientnyh neodnorodnostej nanoobektov; predlozhena metodologiya opredeleniya parametrov s povyshennoj chuvstvitel'nost'ju k ostatochnym neodnorodnostyam v poluprovodnikah. Monografiya prednaznachena dlya nauchnyh sotrudnikov i specialistov v oblasti poluprovodnikovogo materialovedeniya i radiacionnoj fiziki.

Parametre knihy

• Celý názov: Kinetika jelektronnyh processov v Si i Ge v polyah vneshnih vozdejstvij
• Podnázov: Monografiya
• Autor: Galina Gajdar
• Jazyk: Ruština
• Väzba: Brožovaná
• Počet strán: 268
• EAN: 9783659798153
• ID: 02842079
• Nakladateľ: LAP Lambert Academic Publishing
• Hmotnosť: 417 g
• Rozmery: 220 × 150 × 16 mm
• Dátum vydania: 03. November 2015

Obľúbené z iného súdka

---

---

---