Mohlo by sa vám tiež páčiť

Viac informácií o knihe Localization phenomenon in semiconductors; InGaAs, BGaAs and BInGaAs

• Parametre knihy
• Anotácia kniha
• Obľúbené z iného súdka

Nákupom získate 116 bodov

Anotácia knihy

In this work, we have studied the optical properties of InGaAs, BGaAs and BInGaAs by photoluminescence experiment study. We have obtained an abnormal behaviors in keys of luminescence (N or W-shape in PL- line width, S-shape in energy..) as function of a temperature. A localized state ensemeble LSE model was employed to reproduce very well these behaviors and to extract the depth of localisation energy.

Parametre knihy

• Celý názov: Localization phenomenon in semiconductors; InGaAs, BGaAs and BInGaAs
• Autor: Tarek Hidouri, Ibtissem Fraj, Faouzi Saidi
• Jazyk: Angličtina
• Väzba: Brožovaná
• Počet strán: 64
• EAN: 9783841732699
• ID: 16368090
• Nakladateľ: Éditions universitaires européennes
• Hmotnosť: 104 g
• Rozmery: 229 × 152 × 4 mm
• Dátum vydania: 25. April 2017

Obľúbené z iného súdka

---

---

---