Mohlo by sa vám tiež páčiť

Viac informácií o knihe SiGe and Si Strained-Layer Epitaxy for Silicon Heterostructure Devices

• Parametre knihy
• Anotácia kniha
• Obľúbené z iného súdka

Nákupom získate 568 bodov

Anotácia knihy

Focuses on the materials science aspects of silicon heterostructure. This book defines the various advances in the Si-SiGe strained-layer epitaxy for device applications. It covers modern SiGe epitaxial growth techniques, EPI defects and dopant diffusion in thin films, stability constraints, and electronic properties of SiGe and Si-C alloys.

Parametre knihy

Zaradenie knihy Knihy po anglicky Technology, engineering, agriculture Electronics & communications engineering Electronics engineering

• Celý názov: SiGe and Si Strained-Layer Epitaxy for Silicon Heterostructure Devices
• Autor: John D. Cressler
• Jazyk: Angličtina
• Väzba: Pevná
• Počet strán: 264
• EAN: 9781420066852
• ISBN: 9781420066852
• ID: 06722297
• Nakladateľ: Taylor & Francis Inc
• Hmotnosť: 650 g
• Rozmery: 254 × 178 × 17 mm
• Dátum vydania: 13. December 2007

Obľúbené z iného súdka

---

---

---