Mohlo by sa vám tiež páčiť

Viac informácií o knihe Structural properties of luminescent nitride semiconductors

• Parametre knihy
• Anotácia kniha
• Obľúbené z iného súdka

Nákupom získate 179 bodov

Anotácia knihy

This book presents the results of structural studies of InGaN, AlGaN, InAlN, and rare-earth doped (Tm, Er and Eu) GaN by Extended X-ray Absorption Fine Structure; optical characterisation of RE-doped GaN by cathodoluminescence, photoluminescence and photoluminescence excitation spectroscopies. First attempts to identify the lattice location of emitting centres in nitride semiconductors using X-ray Excited Optical Luminescence for EXAFS detection are also presented.

Parametre knihy

• Celý názov: Structural properties of luminescent nitride semiconductors
• Podnázov: This book presents the results of structural and spectroscopic studies of luminescent nitride semiconductors
• Autor: Vyacheslav Kachkanov
• Jazyk: Angličtina
• Väzba: Brožovaná
• Počet strán: 176
• EAN: 9783838323336
• ID: 06981677
• Nakladateľ: LAP Lambert Academic Publishing
• Hmotnosť: 280 g
• Rozmery: 220 × 150 × 11 mm
• Rok vydania: 2010

Obľúbené z iného súdka

---

---

---