Electrical Confinement for the Crystalline Silicon Thin-Film Solar Cell on Foreign Substrate / Najlacnejšie knihy
Electrical Confinement for the Crystalline Silicon Thin-Film Solar Cell on Foreign Substrate

Kód: 01915322

Electrical Confinement for the Crystalline Silicon Thin-Film Solar Cell on Foreign Substrate

Autor Stefan Reber

Crystalline silicon thin-film solar cells have the potential to drastically reduce the cost for silicon solar cells. The aim of the work described in this book was to improve the quality of thin silicon layers on foreign substrate ... celý popis

39.81

Dostupnosť:

50 % šancaMáme informáciu, že by titul mohol byť dostupný. Na základe vašej objednávky sa ho pokúsime do 6 týždňov zabezpečiť.
Prehľadáme celý svet

Informovať o naskladnení

Pridať medzi želanie

Mohlo by sa vám tiež páčiť

Darujte túto knihu ešte dnes
  1. Objednajte knihu a vyberte Zaslať ako darček.
  2. Obratom obdržíte darovací poukaz na knihu, ktorý môžete ihneď odovzdať obdarovanému.
  3. Knihu zašleme na adresu obdarovaného, o nič sa nestaráte.

Viac informácií

Informovať o naskladnení knihy

Informovať o naskladnení knihy


Súhlas - Odoslaním žiadosti vyjadrujem Súhlas so spracovaním osobných údajov na marketingové účely.

Zašleme vám správu akonáhle knihu naskladníme

Zadajte do formulára e-mailovú adresu a akonáhle knihu naskladníme, zašleme vám o tom správu. Postrážime všetko za vás.

Viac informácií o knihe Electrical Confinement for the Crystalline Silicon Thin-Film Solar Cell on Foreign Substrate

Nákupom získate 98 bodov

Anotácia knihy

Crystalline silicon thin-film solar cells have the potential to drastically reduce the cost for silicon solar cells. The aim of the work described in this book was to improve the quality of thin silicon layers on foreign substrates and to apply the experience gained hereby to various low-cost substrates. Two aspects of the crystalline silicon thin-film solar cell were examined intensively to reach this goal: diffusion barrier properties of common intermediate layers, and zone-melting recrystallisation of silicon layers.For investigation of diffusion barrier layers, the focus was set to diffusion of the transition metals iron, chromium and vanadium in the intermediate layer materials SiO2 and SiNx deposited by plasma-enhanced chemical vapour deposition. Temperatures ranging from 900°C to 1350°C were applied to the samples.Zone-melting recrystallisation of silicon is an important technique to prepare large crystal grains of several millimetres width and several centimetres length on amorphous substrates. Parameter studies on SiO2-capped multicrystalline silicon wafers were done to investigate the effect of the so-called supercooled zone on crystal quality. One-side contacted solar cells were prepared on optimised layers on such model substrates. For the first time, also low-cost ribbon silicon and ceramics (SiSiC, Si3N4, SiAlON, mullite) were tested as substrate material. Cell efficiencies up to 10.5% could be obtained when using these materials.

Parametre knihy

39.81

Obľúbené z iného súdka



Osobný odber Bratislava a 2642 dalších

Copyright ©2008-24 najlacnejsie-knihy.sk Všetky práva vyhradenéSúkromieCookies


Môj účet: Prihlásiť sa
Všetky knihy sveta na jednom mieste. Navyše za skvelé ceny.

Nákupný košík ( prázdny )

Vyzdvihnutie v Zásielkovni
zadarmo nad 59,99 €.

Nachádzate sa: