Mohlo by sa vám tiež páčiť

Viac informácií o knihe Reliability of High Mobility SiGe Channel MOSFETs for Future CMOS Applications

• Parametre knihy
• Anotácia kniha
• Obľúbené z iného súdka

Nákupom získate 345 bodov

Anotácia knihy

Due to the ever increasing electric fields in scaled CMOS devices, reliability is becoming a showstopper for further scaled technology nodes. Although several groups have already demonstrated functional Si channel devices with aggressively scaled Equivalent Oxide Thickness (EOT) down to 5

Parametre knihy

Zaradenie knihy Knihy po anglicky Technology, engineering, agriculture Electronics & communications engineering Electronics engineering

• Celý názov: Reliability of High Mobility SiGe Channel MOSFETs for Future CMOS Applications
• Autor: Jacopo Franco, Ben Kaczer, Guido Groeseneken
• Jazyk: Angličtina
• Väzba: Pevná
• Počet strán: 187
• EAN: 9789400776623
• ISBN: 9400776624
• ID: 02017347
• Nakladateľ: Springer
• Hmotnosť: 483 g
• Rozmery: 235 × 155 × 19 mm
• Dátum vydania: 19. October 2013

Obľúbené z iného súdka

---

---

---