Physics And Modeling Of Mosfets, The: Surface-potential Model Hisim / Najlacnejšie knihy
Physics And Modeling Of Mosfets, The: Surface-potential Model Hisim

Kód: 04342576

Physics And Modeling Of Mosfets, The: Surface-potential Model Hisim

Autor Mitiko Miura-Mattausch

This volume provides a timely description of the latest compact MOS transistor models for circuit simulation. The first generation BSIM3 and BSIM4 models that have dominated circuit simulation in the last decade are no longer capa ... celý popis

178.52

Dostupnosť:

50 % šancaMáme informáciu, že by titul mohol byť dostupný. Na základe vašej objednávky sa ho pokúsime do 6 týždňov zabezpečiť.
Prehľadáme celý svet

Informovať o naskladnení

Pridať medzi želanie

Mohlo by sa vám tiež páčiť

Darujte túto knihu ešte dnes
  1. Objednajte knihu a vyberte Zaslať ako darček.
  2. Obratom obdržíte darovací poukaz na knihu, ktorý môžete ihneď odovzdať obdarovanému.
  3. Knihu zašleme na adresu obdarovaného, o nič sa nestaráte.

Viac informácií

Informovať o naskladnení knihy

Informovať o naskladnení knihy


Súhlas - Odoslaním žiadosti vyjadrujem Súhlas so spracovaním osobných údajov na marketingové účely.

Zašleme vám správu akonáhle knihu naskladníme

Zadajte do formulára e-mailovú adresu a akonáhle knihu naskladníme, zašleme vám o tom správu. Postrážime všetko za vás.

Viac informácií o knihe Physics And Modeling Of Mosfets, The: Surface-potential Model Hisim

Nákupom získate 440 bodov

Anotácia knihy

This volume provides a timely description of the latest compact MOS transistor models for circuit simulation. The first generation BSIM3 and BSIM4 models that have dominated circuit simulation in the last decade are no longer capable of characterizing all the important features of modern sub-100nm MOS transistors. This book discusses the second generation MOS transistor models that are now in urgent demand and being brought into the initial phase of manufacturing applications. It considers how the models are to include the complete drift-diffusion theory using the surface potential variable in the MOS transistor channel in order to give one characterization equation.

Parametre knihy

Zaradenie knihy Knihy po anglicky Technology, engineering, agriculture Electronics & communications engineering Electronics engineering

178.52

Obľúbené z iného súdka



Osobný odber Bratislava a 2642 dalších

Copyright ©2008-24 najlacnejsie-knihy.sk Všetky práva vyhradenéSúkromieCookies


Môj účet: Prihlásiť sa
Všetky knihy sveta na jednom mieste. Navyše za skvelé ceny.

Nákupný košík ( prázdny )

Vyzdvihnutie v Zásielkovni
zadarmo nad 59,99 €.

Nachádzate sa: